Корпорация Intel инвестировала $14 млн. в стартап Nanochip, который разработает чипы памяти PRAM емкостью 100 ГБ, сообщает DailyTech.
Новая память будет основана не на литографии, а на фазовых переходах, и работать намного быстрее, чем современная NAND-память. Запись данных в такой памяти основан на изменении фазового состояния вещества. Например, единица соответствует кристаллической структуре ячейки, а ноль – аморфному состоянию. Новые чипы будут изготавливаться на основе халькогенидного слоя с плотностью записи данных 1 терабит или 116 ГБ на квадратный дюйм.
По мнению экспертов, PRAM-память может придти на замену SSD, которая только начинает завоевывать рынок. Образцы первых чипов планируется выпустить в течение 2009 г. Официальный запуск новой технологии запланирован на 2010 г.
